				경북･구미 반도체특화단지 추진단 소식

제6호

제39호 2025.11.10.

	｢경북 반도체 인재 플랫폼 매칭데이 결과보고 및 Review 회의｣ 2025.11. 4.(화) / 추진단 회의실

□ 매칭데이 용역 결과보고 (최종 실적 및 평가) □ 개선사항 도출 및 향후 개선방안 논의(도 및 시 타 관련 부서들과 협업 가능성, 밀도 있는 홍보마케팅 논의 등) □ 추후 계속사업으로 진행 가능성 및 예산 확보 논의 등 □ 참석자 : 경상북도 미래첨단산업과, 구미시 방산과, 경북TP, 반도체 추진단

	｢The 4th Korean International Semiconductor Conference & Exhibition on Manufacturing Technology｣ 부산, 파라다이스호텔 2025.11.10.-14.(월-금) / 경북구미 반도체 특화단지 추진단 공동주관

□ 국내외 석학 및 산업계 연사 초청 기조강연 및 주제발표 □ SK하이닉스, 삼성전자 등 주요 기업 참여 및 산‧학‧연 협력 강화 □ 국제 반도체 연구자 및 학생 구두·포스터 발표 세션을 통한 최신 연구 성과 교류 □ 전시 부스를 통한 기술·인재·사업 등 산업계 소통 및 네트워크 강화

	｢SEMICON JAPAN 2025｣ 동경 반도체 박람회 참관 안내 2025.12.17.-19(수-금) / 도쿄, 일본

추진단에서는 세계 반도체 산업의 최신기술 및 동향 파악의 기회를 제공하고,

지역 반도체 기업의 글로벌 역량 강화를 위해

"일본 세미콘 참관 및 반도체 산업현장 시찰 프로그램"을 운영하고자 합니다.

- 프로그램 개요 -

□ 주 관 : 경북・구미 반도체특화단지추진단

□ 기 간 : 2025. 12. 16.(화) ~ 12. 19.(금) / 3박4일간

□ 장 소 : 일본 도쿄

□ 모집규모 : 10개사 정도 (반도체산업기업협의회 회원사)

※ 예산 범위 내에서 선착순 마감, 최종 선정기업에는 개별 통보 예정

□ 지원내용 : 왕복항공료 실비 지원

※ 1개사 2인까지 신청가능하나 항공료 지원은 1인에 한함. 기타 숙박비, 식비 등

부대경비 자부담

□ 주요내용

- SEMICON Taiwan 2025 참관 및 반도체 산업현장 시찰과 네트워킹

- 선진 반도체 산업현장 시찰 및 최신 반도체 글로벌 시장동향 파악

- 반도체 산업 마케팅 전략 수립

- 일본 반도체 기업과 한국 기업 간의 비즈니스 협력 방안 모색 등

	｢반도체 기업협의회 간담회｣ 개최 안내 경북구미 반도체 특화단지 추진단

□ 일시 : 11월 17일 ( 대‧중견)/ 12월 1일(중소기업) (10:10~13:00),  ※ 2회 개최

□ 장소 : 금오산 호텔 연회장

□ 내용

∎반도체특화단지 추진사업 및 기업지원사업 계획 안내

∎반도체 기업의 애로사항 청취 및 사업 운영방향 논의 등

∎각종사업 추진에 따른 기업 협력 요청

∎대중견‧중소기업별 기술협력 및 상호교류 기회 제공

*추후 세부 일정 확정 후 다시 안내드리도록 하겠습니다.

				반도체(소재 부품 장비) 관련 뉴스

제39호 2025.11.10.

	｢2024년 GaN 디바이스 시장｣ 2025.10.29.(수) / 이타임즈 재팬

□ 서론 : 프랑스 시장조사기관 Yole Group(이하 Yole)에 따르면, 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 시장은 2024부터 2030년까지 연평균 성장률(CAGR) 42%로 성장해 약 30억 달러 규모의 시장이 될 전망이다. 민생 분야가 계속해서 보급을 주도하는 한편, 전동차(xEV) 분야와 AI 데이터센터 분야의 급성장이 성장을 가속화할 전망이다. 한편 2024년 시장 점유율에서는 중국 Innoscience가 1위를 차지했다. 일본 기업들 은 상위 5위 안에 들지 못했다

□ 내용 :  Yole이 2025년 10월 최신 조사 결과를 발표했다. 조사에 따르면 GaN 파워 디바이스 시장은 2024년 3억 5500만 달러에서 2030년에는 약 30억 달러로 급성장할 전망이다. 분야별로 보면, 민생용이 2030년에는 약 20억 달러로 최대 분야로서 GaN 파워 디바이스의 양산/생태계 성숙을 촉진할 전망이다. 특히 최대 300W 급속 충전기 외에도 과충전 보호(OVP) 및 가전제품 등 신규 기회가 견인 역할을 할 것으로 분석된다. 민생(및 모바일) 분야는 2030년 시장 전체의 52%를 차지할 것으로 예상된다.

2030년, 두 번째로 큰 분야가 될 것으로 예상되는 것은 자동차 분야다. Yole은 "xEV 시장의 둔화에 따른 단기적인 지연은 있지만, 해당 분야는 2024년부터 2030년까지 연평균 성장률(CAGR) 73%로 성장할 것으로 예측된다"고 설명했다. 2024년 2천만 달러에서 2030년에는 약 5억 달러 규모로 성장해 시장점유율 약 19%를 차지할 것으로 전망된다. 구체적인 응용 분야로는 이미 첨단 운전자 보조 시스템 (ADAS)용 LiDAR 시스템에서 채택이 확대되고 있는 데 이어, 11kW 미만 차량용 충전기(OBC), DCDC 컨버터, 오디오, 프리미엄 e-모빌리티 분야에서의 확대가 기대된다고 밝혔다. OBC와 관련해서는 중국 Changan Automobile이 최초의 GaN 기반 OBC를 발표했다(Navitas Semiconductor(이하 Navitas)의 GaN 디바이스 채택). 세 번째 규모 분야는 통신/인프라 분야다. 해당 분야는 2024년부터 2030년까지 연평균 복합 성장률 (CAGR) 53%로 성장해 2024년 2,900만 달러에서 3억 8,000만 달러 이상으로 확대될 전망이다. 시 장 전체의 13%를 차지하는 규모가 될 전망이다. Yole은 특히 NVIDIA가 800V 직류 전원 공급 시스템에서의 GaN(질화 갈륨) 디바이스 통합을 위해 주요 파워 반도체 제조사들과 잇따라 협업을 발표하고 있는 점을 언급하며, "2025년은 AI 개발이 크게 가속화된 해다. 데이터센터와 통신 인프라 전반에서 고효율 전원 수요가 높아지고 있다"고 강조했다. NVIDIA는 Texas Instruments, Navitas, Infineon Technologies(이하 Infineon), Innoscience, 로옴, 르네사스 일렉트로닉스(이하 르네사스) 등 각사와 의 협업을 발표했다. Yole은 이 협업을 통해 2027년경 첫 상용화가 시작될 것으로 예측하고 있다.

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	｢기술패권시대국가반도체전략과 전략적R&D협력방향｣ 2025.10. / 산업기술평가원

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□ 서론 : 미·중 기술 패권 경쟁, 반도체 공급망 위기, 기술 통제 강화 등 복합적 글로벌 리스크가 심화 됨에 따라 기술이 산업 및 과학기술 정책뿐 아니라 외교·안보 정책의 핵심 의제로 부상

- 반도체는 디지털 전환, 인공지능, 첨단 제조 등 범용 기술 기반으로 산업 생태계 전반에 파급 효과를 미치는 범용성과 전략성을 동시에 보유

- 특히 미·중 간 기술 패권 경쟁, 공급망 블록화, 기술 통제 강화 등 복합적 리스크 속에서 국가 기술 주권과 산업 경쟁력의 핵심 축으로 부상

□ 내용 :  방법론적 접근의 활용, 주요 7개 국가(미국, 일본, 독일, 중국, 네덜란드, 영국, 대만)에 대한 ‘협력 잠재력 지수’ 도출

- 이를 바탕으로 우리나라와 기술적 상호보완성이 높은 전략적 협력 파트너국을 식별하고 전략적 기술 외교 전략 수립에 실증적 근거를 제공하고자 함.

(협력 잠재력 지수가 가장 높은 국가 쌍: 미국–일본) 미국과 일본 두 국가는 반도체 산업에서 상호보완적인 기술 경쟁력을 갖춘 국가들인 것으로 확인

- 미국은 반도체 설계와 장비 기술, 일본은 고급 소재 및 공정 기술에서 독보적인 경쟁력을 보유하고 있기 때문에 두 국가 간 협력은 각자의 기술적 한계를 보완할 수 있는 잠재력이 큰 것으로 파악

(협력 잠재력 지수가 가장 낮은 국가 쌍: 중국–대만) 두 국가가 유사한 기술 영역에서 경쟁력을 보유하고 있어 상호 협력 유인이 상대적으로 낮을 수 있음을 시사

- 중국과 대만 모두 파운드리(반도체 위탁 생산)와 제조 부문에서 세계적인 기술 역량을 보유하고 있지만, 협력보다는 경쟁 구도가 더 강할 수 있음을 나타냄. 이러한 결과는 기술적 강점이 중복되는 국가 간 협력은 제한적일 수 있다는 점을 시사

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	｢ 첨단 패키징용 PECVD 장비｣ 2025.10.28.(화) / 이타임즈 재팬

□ 서론 : 램 리서치는 2025년 9월, 첨단 패키징을 위해 60μm 이상의 두께로 막을 형성할 수 있는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 장비 'VECTOR TEOS 3D'를 출시했다. 칩/다이의 3차원(3D) 적층 및 칩릿 집적과 같은 헤테로지니어스 통합을 위해, 보이드나 크랙이 없는 다이 간 갭 필막 형성이 가능해진다. 램 리서치의 일본 법인 라미 리서치에서 리저널 프로세스 테크놀로지 그룹 시니어 디렉터를 맡고 있는 나카무라 겐지(中村健嗣) 씨는 2025년 10월 23일 개최된 기자 설명회 에서 "첨단 패키징에서 발생하는 새로운 과제에 대응하는 장비"라고 강조했다

□ 내용 : 3D-IC 및 헤테로지니어스 통합 등 첨단 패키징 기술은 AI 반도체의 고성능화에 필수적이다. CPU와 메모리 간 거리가 가까워져 처리 속도 향상이 가능하지만, 제조 과정에서 새로운 과제도 발생하고 있다. 칩을 수직 방향으로 적층하기 때문에 공정 중 발생하는 필름 응력으로 인해 웨이퍼에 휘어짐이나 뒤틀림이 생기는 것이다. 이로 인해 막에 균열이나 보이드가 발생하여 결함이나 수율 저하 등의 문제로 이어진다. 나카무라 씨는 "3D NAND형 플래시 메모리에서도, DRAM을 적층하는 고대역폭 메모리 (HBM)에서도, 3D 적층 기술을 사용하는 반도체에서는 이것이 공통된 과제가 되고 있다"고 설명한다. VECTOR TEOS 3D는 다이 간 갭 필(gap fill) 공정에 특화된 최대 60μm 두께의 절연막을 나노 스케일 정밀도로 증착할 수 있는 것이 특징이다. 막 두께는 100μm까지 두껍게 할 수 있다고 한다. "현재로서 는 60~100μm의 막 두께가 있으면 고품질 갭 필이 가능하다고 생각한다"(나카무라 씨). 또한 독자적인 클램핑 기술을 적용함으로써 크게 휘어진 웨이허에 대해서도 균일하게 막을 형성할 수 있다. 이러한 기술로 균열이나 공극이 없는 절연막을 제작할 수 있게 된다.

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	｢반도체 재료 시장은 2030년에 전공정용이 9조 엔｣ 2025.10.28.(화) / 모노이스트

□ 서론 : 후지경제는 2025년 10월 7일, AI(인공지능) 관련 반도체 수요 증가에 따라 확대되는 반도체 재료 세계 시장에 관한 조사 결과를 발표했다. 이번 조사는 전공정용 26품목과 후공정 8품목의 반도체 재료를 대상으로 실시했다. 2024년 시장은 전년과 달리 양 공정 모두 호황을 보였다. AI 관련 반도체 수요는 계속 증가하고 있으며, 2025년에는 전공정 재료가 전년 대비 5.8% 증가한 404억 달러(약 6조 엔), 후공정 재료는 9.2% 증가한 107억 달러(약 2조 엔)에 달할 전망이다. 앞으로 도 순조로운 시장 확대가 기대되며, 2030년에는 전공정 재료가 2024년 대비 46.6% 증가한 560억 달러(약 9조 엔), 후공정 재료는 같은 기간 43.9% 증가한 141억 달러(약 2조 엔)에 이를 것으로 예상된다

□ 내용 :  전공정 재료에서는 웨이퍼 사용량 증가에 따라 재료 전반의 성장이 기대된다. 특히 에칭 시 웨이퍼 상의필요 부분 보호에 사용하는 포토레지스트는 AI 및 IoT(사물인터넷) 발전에 따른 반도체 시장 확대로 수요증가가 예상된다. 2025년 포토레지스트 세계 시장 규모는 전년 대비 8.7% 증가한 25억 달러(약 3800억 엔)에 달할 전망이며, 2030년에는 36억 달러(약 5500억 엔)로 예상된다.포토레지스트 시장［클릭하면 확대］ 출처: 후지경제 반도체 제조의 CMP 공정에서 사용되는 연마용 슬러리는 스마트폰 출하량 증가 등으로 인해 2024년 전년 대비 10% 이상의 시장 확대를 기록했다. 다만 메모리 및 로직 생산 가동률이 정점을 밑돌고 있어 2025년에는 5% 정도의 성장에 그칠 것으로 전망된다. 후공정 재료에서는 AI 서버의 성장에 따라 고도화된 패키지 기술이 요구됨에 따라 관련 재료의 출하량이 증가하고 있다. 특히 프리프레그와 그 양면에 도포되는 동박으로 구성된 패키지 기판용 동박 적층판 재료의 수요 증가가 두드러진다. 앞으로도 AI 관련 데이터센터를 대상으로 고부가가치 반도체의 출하량이 증가할 것으로 예상되어 수요 증가가 기대된다. 2025년 패키지 기판용 동박 적층판 재료의 세계 시장 규모는 전년 대비 15.4% 증가한 15억 달러(약2300억 엔)에 달할 전망이다. 2030년에는 20억 달러(약 3000억 엔)로 예상된다.

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	｢인피니언의 최신 GaN 디바이스 기술｣ 2025.10.27.(월) / 이타임즈 재팬

□ 서론 : 인피니언은 2015년 인터내셔널 레크티파이어(International Rectifier) 인수를 통해 GaN 파워 디바이스 관련 제품/기술을 확보했다. 파나소닉과의 협업을 통한 공동 개발품인 노멀리 오프(Normally Off) GaN on 실리콘(Si) 트랜지스터 구조를 채택한 '쿨GaN(CoolGaN)' 제품의 출시를 추진했으며, 2023년에는 GaN 시스템즈(GaN Systems)를 인수하는 등 사업을 강화해 왔다. Schoiswohl 씨는 GaN 파워 반도체의 특징에 대해, 민생 용 AC 어댑터를 예로 들어 설명했다. 고속 스위칭으로 전력손실을 줄일 수 있어 효율이 향상된다. 동일한 폼 팩터로 더 많은 전력을 공급할 수 있으며, 반대로 동일한 공급 전력이라면 50%의 소형화를 실현할 수 있다고 밝혔다. "이는 GaN 을 통해 얻을 수 있는 중요한 이점이다. 시장에 출시된 많은 새로운 멀티포트 어댑터는 이미 GaN을 채택하고 있다. 추정 으로는 이미 약 70% 정도는 GaN이 사용되고 있을 것이 다"라고 말했다

□ 내용 : 300mm 웨이퍼 공정으로의 전환에 대해 Schoiswohl 씨는 "반도체 업계에서는 공장 규모 확대뿐만 아니라 대형 웨이퍼의 대형화도 중요하며, 이를 통해 더 낮은 비용으로 제조가 가능해진다. 이는 당연히우리 회사에 큰 이점으로, 이익률 향상에 기여한다. 뿐만 아니라 시장 가격 인하도 가능해진다. 이를 통해 GaN의 보급이 가속화될 수 있다"고 강조했다. 해당 기술은 2024년 9월에 발표한 것이지만, 그는 "바로 지금 이 순간에도 고객에게 샘플을 발송 중이다. 우리는 발표부터 샘플 제공까지 12개월이라는 약속을 확실히 지켰다. 그리고 향후 12개월 안에 300mm 웨이퍼 기술의 양산 확대를 시작할 것"이라고 말했다

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	｢삼성전기, 차세대 AI 기판 선점 시동｣ 2025.11.5.(수) / 전자신문

□ 서론 : 삼성전기가 반도체 유리기판 제조를 위해 일본 스미토모화학그룹과 합작법인(JV)를 설립한다. 유리기판은 차세대 반도체 기판으로 주목 받는 제품이다. 삼성전기는 그동안 반도체 유리기판 상용화를 준비해왔는데, 세계적 화학 소재 업체인 스미토모와의 협력으로 양산에 속도를 낼 전망이다.  삼성전기는 스미토모화학그룹과 JV 설립을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 5일 밝혔다. 양사는 반도체 유리기판 핵심 소재 '글라스 코어'를 제조하기로 했다. 장덕현 삼성전기 사장, 이와타 케이이치 스미토모화학 회장, 미토 노부아키 사장, 이종찬 동우화인켐(스미토모화학 자회사) 사장 등 주요 임원진이 4일 도쿄에서 만나 MOU를 맺었다.

□ 내용 : 삼성전기, 스미토모화학, 동우화인켐은 각 사가 보유한 기술력과 글로벌 네트워크를 결합, 패키지 기판용 글라스 코어의 제조·공급 라인을 확보하고 시장 진출을 가속화할 방침이다. JV는 삼성전기가 과반 지분을 보유한 주요 출자자, 스미토모화학그룹은 추가 출자자로 참여한다. 향후 내년 본 계약 체결을 목표로 세부적인 지분 구조, 사업 일정, 법인 명칭 등에 대해 협의할 예정이다. JV 법인 본사는 스미토모화학의 자회사인 동우화인켐 평택사업장에 두고, 글라스 코어의 초기 생산 거점으로 활용할 계획이다. 장덕현 삼성전기 사장은 “AI 시대의 가속화에 따라 초고성능 반도체 패키지 기판에 대한 요구가 높아지고 있으며, 글라스 코어는 미래 기판 시장의 판도를 바꿀 핵심 소재”라며 “이번 협약은 3사가 가진 최첨단 역량을 결합하여 차세대 반도체 패키지 시장의 새로운 성장축을 마련하는 계기가 될 것”이라고 말했다. 이어 “앞으로 기술 리더십을 강화하고, 첨단 패키지 기판 생태계 구축에 앞장서겠다”고 강조했다.

https://www.etnews.com/20251105000018?mc=ns_002_00002